1 rank 8 banks что это
Перейти к содержимому

1 rank 8 banks что это

  • автор:

Что такое rank или ранг у модулей памяти

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

Объясняя очень грубо, двухранговый модуль — это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый — то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single — одногоранговая), D(Dual — двухранговая), Q (Quad — четырёхранговая).

  • KVR1333D3LS4R9S/4GEC
  • KVR1333D3LD4R9S/8GEC
  • KVR1333D3LQ8R9S/8GEC

Остальные важные понятия:

CL CAS Latency, CAS — это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память. tRAS Activate to Precharge Delay — минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти. tRCD RAS to CAS Delay — задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца. tRP Row Precharge Delay — параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки. Буферизованная (Registered) Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе. Количество контактов (от 144 до 244 ) Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и «ключи» (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке). Количество модулей в комплекте Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей. Количество ранков Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк — область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые. Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 ) Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля. Напряжение питания Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение. Низкопрофильная (Low Profile) Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты. Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб) Объем памяти одного модуля.
Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортной работы графических редакторов и современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти. Поддержка ECC Поддержка Error Checking and Correction — алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм. Пропускная способность Пропускная способность модуля памяти — количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик). Радиатор Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Как правило, радиаторы устанавливают на модули памяти, рассчитанные на работу при высокой частоте. Совместимость Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей широкого применения некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров. Тактовая частота Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость. Тип Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM — поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM — следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию «удвоения частоты». Основные отличия от DDR2 — способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются «ключи» (ориентирующие прорези), отличающиеся от «ключей» DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 — стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 — 1.2 В. Для сравнения, у «обычных» модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы — совместимость с различными модулями памяти. Упаковка чипов Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы. Форм-фактор Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор — это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) — на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) — модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM — форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

Інформація

  • Оновлення BIOS HP SE316 update firmware
  • Продуктивність Xeon серії 5xxx
  • Выбор сервера. На что обратить внимание.
  • Выбор тихого сервера
  • Выбор серверной памяти.
  • Обзор сервера Dell PowerEdge R720
  • Что такое rank или ранг у модулей памяти
  • RAID контроллер HP Smart Array P400 (SAS/SATA) в Linux.

1 rank 8 banks что это

Репутация: 0

Здравствуйте уважаемые знатоки, прошу Вашей помощи (сильно не пинайте и не забрасывайте помидорами) суть вопроса следующая имеется две планки памяти DDR3 2Gb 1600MHz Kingston HyperX (KHX1600C9AD3/2G) :

Изображение

и к ним било доставлено еще две планки памяти только DDR3 4Gb 1600MHz Kingston HyperX (KHX1600C9AD3K2/4G)

Изображение

Так вот на первых двух планках Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 8 banks) а на вторых Размер модуля 2 Гб (1 rank, 8 banks) что такое ranks и banks и нормально ли они в паре (с разными значениями) будут работать??

Сообщения: 19323
Откуда: Пермь

Репутация: 127

Pervyj_shaman
Вы всегда сразу ВЕСЬ Рунет спрашиваете? А самому поискать? В Википедии, к примеру.

Поставьте в младшие (первые) разъемы более медленную память (1\8) и все будет ОК.

Репутация: 0

U-Nick писал(а): Вы всегда сразу ВЕСЬ Рунет спрашиваете?

Нет. спрашиваю только тогда когда немогу разобраться, искать пробывал результата почти ноль.

U-Nick писал(а): Поставьте в младшие (первые) разъемы более медленную память (1\8) и все будет ОК.

у меня установлены так:

1-2 слоты (синие) стоит память 2 Гб (2 ranks, 8 banks) KHX1600C9AD3/2G

3-4 слоты (черные) стоит память 2 Гб (1 rank, 8 banks) KHX1600C9AD3K2/4G

Сообщения: 19323
Откуда: Пермь

Репутация: 127

Pervyj_shaman
А на Оверах? Все еще не подсказали?

Вы почитайте внимательно мануал на мать-плату: там про память и разъемы обычно всё очень подробно расписано.

Сообщения: 48
Откуда: г. Харьков

Репутация: 0

Pervyj_shaman
Проблем с совместимостью одно- и двухсторонних модулей памяти (при одинаковых остальных параметрах) на современных материнских платах практически не бывает, поскольку различия лишь сводятся к тому, что для односторонних планок ОЗУ используют микросхемы памяти вдвое большего объёма (плотности) (если сравнивать с аналогичными по суммарному объёму двусторонними модулями), расположенные с одной стороны планки. Я лично сейчас использую 2 планки по 2 Гб — DDR3 2 Гб DDR1600 Kingston HyperX (KHX1600C9AD3B1/2G), одна односторонняя, вторая — двусторонняя. Эта связка прекрасно работает в двухканальном режиме в разгоне до 1920 МГц.

Репутация: 0

U-Nick писал(а): Вы почитайте внимательно мануал на мать-плату: там про память и разъемы обычно всё очень подробно расписано.

перечитал. ничего там интересного нету

Репутация: 0

sergey968 писал(а): различия лишь сводятся к тому, что для односторонних планок ОЗУ используют микросхемы памяти вдвое большего объёма (плотности) (если сравнивать с аналогичными по суммарному объёму двусторонними модулями), расположенные с одной стороны планки. Я лично сейчас использую 2 планки по 2 Гб — DDR3 2 Гб DDR1600 Kingston HyperX (KHX1600C9AD3B1/2G), одна односторонняя, вторая — двусторонняя. Эта связка прекрасно работает в двухканальном режиме в разгоне до 1920 МГц.

Спасибо что объяснили, аж легче на душе стало

Сообщения: 19323
Откуда: Пермь

Репутация: 127

Pervyj_shaman
Странно. у меня в мануале на МП целый раздел посвящен только памяти, и в нем всё — более чем ДОСТУПНО и понятно.
——
Не плодите сообщения — используйте • Изменить •

Репутация: 0

U-Nick писал(а): Pervyj_shaman
Странно. у меня в мануале на МП целый раздел посвящен только памяти, и в нем всё — более чем ДОСТУПНО и понятно

к моей MSI 990FXA-GD80 в инструкции полезной информации не было

U-Nick писал(а): Не плодите сообщения — используйте • Изменить •

Репутация: 0

подскажите, а почему у Pervyj_shaman на скриншотах в первом посте из второй пары, по 4гб на каждую, в итоге определяется только 2 гб на планку? я всегда думал, что двухканал возможен при идентичным плашках в паре, но с возможностью разного объема каждой из пар (да, и здесь например тоже так считают), но пример выше поставил меня в тупик.
или в этом случае материнская плата просто не поддерживает больше 8 гб (модель ее не указана)

Сообщения: 1813
Откуда: Las Vegas, Nevada, USA

Репутация: 3

sp_man
Там все модули по 2 ГБ. Вторая пара просто из 4 ГБ двухмодульного комплекта.

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3

Описание с официального сайта

Аватар пользователя

Изображение темы

Имя модуля Kingston Fury KF552C36-32 Серийный номер 2F2151E2h (3796967727) Дата выпуска Неделя 3 / 2023 Размер модуля 16 ГБ (32 banks) Тип модуля Unbuffered DIMM Тип памяти DDR5 SDRAM Скорость памяти (EXPO) DDR5-5200 (2600 МГц) Скорость памяти DDR5-4800 (2400 МГц) Ширина модуля 64 bit Почему аида64 указывает 16гб хотя плашка на 32гб.

Оперативная память 1 год назад

Хочу увеличить оперативную память в ноутбуке

В ноутбуке (Acer E5-774G-70S9,) установлены 2 плашки памяти: 1) Kingston ACR24D4S7S8MB-8 (Размер модуля 8 ГБ (1 rank, 16 banks), Тип модуля SO-DIMM, Тип памяти DDR4 SDRAM, Скорость памяти DDR4-2400 (1200 МГц)) 2) Micron Technology ( Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 8 banks), Тип памяти DDR4 SDRAM, Скорость памяти DDR4-2400 (1200 МГц)) Тип ЦП DualCore Intel Core i7-7500U, 3500 MHz (35 x 100) Все характеристики взяты из Aida64, но на сайтах различных магазинов указано, что скорость памяти 2133МГц.

Оперативная память 2 года назад

Прошу помощи в подборе ОЗУ SO-DIMM

Всем привет, подскажите пожалуйста, правильно ли я подобрал вторую плашку ОЗУ SO-DIMM для работы в двухканальном режиме Моя [ DIMM1: A-Data AO1P26KC8T1-BPXS ] Свойства модуля памяти: Имя модуля A-Data AO1P26KC8T1-BPXS Серийный номер CB8B0100h (101323) Дата выпуска Неделя 19 / 2018 Размер модуля 8 ГБ (1 rank, 16 banks) Тип модуля SO-DIMM Тип памяти DDR4 SDRAM Скорость памяти DDR4-2666 (1333 МГц) Ширина модуля 64 bit Напряжение модуля 1.

Оперативная память 9 месяцев назад

Оперативная память Apacer совместимость с Samsung

Люди добрые, подскажите пожалуйста, будет ли работать эта оперативка с Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M378A1K43CB2-CTD

Оперативная память 9 месяцев назад

Подойдет ли к ноутбуку Lenovo G 500 .

Подойдет ли к ноутбуку Lenovo G 500 если родная стоит » Имя модуля Ramaxel RMT3170ED58F8W1600 Серийный номер 4145BEA9h (2847819073) Дата выпуска Неделя 30 / 2013 Размер модуля 2 ГБ (1 rank, 8 banks) Тип модуля SO-DIMM Тип памяти DDR3 SDRAM Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц) Ширина модуля 64 bit Напряжение модуля 1.

Ранги оперативной памяти – что это такое

ddr

Оперативная память выполняет важную функцию в работе серверов и вычислительных устройств в целом, а именно хранит промежуточную информацию на пути от процессора до накопителей и наоборот. На производительности системы сказываются несколько характеристик ОЗУ, в рамках же этого материала рассмотрим, на что влияет и как узнать ранг оперативной памяти.

Ранг памяти представляет собой количество наборов чипов памяти DRAM, образующих область микросхемы размером в 64 бита. Таким образом, один ранг соответствует одному логическому модулю, два ранга — двум логическим модулям и так далее.

Термин «ранг» был предложен JEDEC — комитетом инженерной стандартизации полупроводниковой продукции. Прежде всего, введение отдельного параметра было вызвано необходимостью провести условную грань между банками памяти на RAM-модуле и на чипе памяти. Ранговость используется в качестве важной характеристики всех видов и форматов ОЗУ, хотя и превалирующую роль она играет в контексте серверных платформ по причине существенно большего объема задействованного памяти.

Ранг представляет собой блок информации размером в 64 бита. В конфигурациях, поддерживающих работу памяти с коррекцией ошибок, появляются вспомогательные 8 битов, что увеличивает ширину блока до 72 бит. В конечном итоге планка может содержать от 1 до 4 блоков 64-битных либо 72-битных (для ECC-модулей) областей данных.

Множество рангов могут совмещаться в пределах одного модуля DIMM, при том, что современные планки могут быть одно-, двух-, четырех- и восьмиранговыми. Разные производители могут обозначать ранговость на этикетке своей продукции по-разному: например, 1RX8, 1RX4 либо 2RX4, 2RX8.

Существует небольшая разница между двухранговыми модулями UDIMM и двумя одноранговыми планками UDIMM в одном канале памяти — DRAM в таком случае находятся на разных печатных платах. Увеличение числа рангов на DIMM в основном предназначено для увеличения плотности памяти на канал. Избыточное число рангов в рамках одного канала может привести к снижению скорости канала из-за чрезмерной нагрузки. Кроме того, определенные контроллеры памяти имеют максимальное поддерживаемое количество рангов. Нагрузку DRAM на шину CA можно уменьшить за счет использования регистровой памяти.

Термин «ранг», иногда также называемый «ряд», предшествовал использованию односторонних и двусторонних модулей, особенно с SIMM (одинарный встроенный модуль памяти). Односторонним или двусторонним описывают расположение микросхем на одной или двух сторонах модуля памяти.

Так, двусторонняя память – это физическая конструкция модуля с выделенными микросхемами памяти. Конструктивная особенность подразумевает их размещение с двух сторон печатной платы.

Односторонние модули памяти новее, а микросхемы более плотные, что обеспечивает большую емкость. Если раньше для изготовления модуля 256M использовалось 16 микросхем, то теперь требуется восемь микросхем. Старые материнские платы могут не распознавать одностороннюю память. Зачастую число сторон, которые используются для размещения микросхем, эквивалентно рангу ОЗУ, однако это не общее правило, что может привести к путанице и техническим проблемам.

Показатели X4 и X8 относятся к числу банков на микросхеме. Руководствуясь этим показателем как раз таки и можно с легкостью определить ранг модуля ОЗУ. Иначе говоря, если даже микросхемы распаяны на двух сторонах печатной платы, такая планка по-прежнему может быть как одноранговой, так, скажем, и двухранговой или четырехранговой, учитывая устройство этих конкретных микросхем.

Односторонняя оперативная память для сервера всегда одноранговая. Двусторонние модули DIMM без буферизации и модули SO DIMM всегда двухранговые.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *